Компоненты микроволновой подложки

I. Обзор
Использование вакуумного испарения полупроводниковых тонких пленок, напыления, гальваники, фотолитографии, лазерной обрезки, скрайбирования и других процессов, металлизации рисунка на поверхности керамических подложек (или специальных подложек) при интеграции резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности и т. д. ., для производства подложек схем с конкретными функциями, таких как электрическое соединение, физическая поддержка и рассеивание тепла, и используются в гибридных интегральных микросхемах микроволновых устройств.

2. Характеристики продукта
Высокая частота, высокая точность, высокая надежность

3. Технические показатели
  Материал: Al2O3.
  Точность: точность ширины линии/межстрочного расстояния ± 2,5 мкм.
  Металлизация: резисторы Ti, Ni, Pt, Au, TaN, готовые пленки AuSn и др.; отвечают требованиям сварки золотой проволокой, сварки SnPb/AuSn/AuSi/AuGe и проводящего клеевого соединения.
  Прочее: Наматывание сбоку, сквозные отверстия (сопротивление сквозных отверстий менее 50 мОм).

4. Типичные продукты

Линии задержки, чип-аттенюаторы, фильтры, ответвители Ланге, направленные ответвители, спиральные индукторы и т. д.

5. Области применения

Радарная связь, радиоэлектронное противодействие, спутниковая связь, прецизионное геодезическое и картографическое оборудование, беспроводная связь, высокоскоростное зондирование и другие области.